APT46GA90JD40
APT46GA90JD40
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
87 A
Power Dissipation
284 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT46GA90JD40: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
900 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
87 A
Power Dissipation
284 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT46GA90JD40: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

