Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3
Артикул: APT50GF120JRDQ3
Описание: APT50GF120JRDQ3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 120 A
Power Dissipation 521 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 120 A
Power Dissipation 521 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet