Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT50GR120B2

APT50GR120B2

APT50GR120B2
APT50GR120B2
Артикул: APT50GR120B2
Описание: APT50GR120B2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 250 nA
Continuous Collector Current 117 A
Power Dissipation 694 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GR120B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 250 nA
Continuous Collector Current 117 A
Power Dissipation 694 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GR120B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet