Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3
APT60GF120JRDQ3
Артикул: APT60GF120JRDQ3
Описание: APT60GF120JRDQ3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 149 A
Power Dissipation 625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 149 A
Power Dissipation 625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GF120JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet