Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT60GT60JRDQ3

APT60GT60JRDQ3

APT60GT60JRDQ3
APT60GT60JRDQ3
Артикул: APT60GT60JRDQ3
Описание: APT60GT60JRDQ3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 105 A
Power Dissipation 379 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 105 A
Power Dissipation 379 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet