Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT65GP60JDQ2

APT65GP60JDQ2

APT65GP60JDQ2
APT65GP60JDQ2
Артикул: APT65GP60JDQ2
Описание: APT65GP60JDQ2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 130 A
Power Dissipation 431 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT65GP60JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 130 A
Power Dissipation 431 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT65GP60JDQ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet