APT75GP120JDQ3
APT75GP120JDQ3
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
128 A
Power Dissipation
543 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GP120JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
128 A
Power Dissipation
543 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT75GP120JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

