Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT80GP60JDQ3

APT80GP60JDQ3

APT80GP60JDQ3
APT80GP60JDQ3
Артикул: APT80GP60JDQ3
Описание: APT80GP60JDQ3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 151 A
Power Dissipation 462 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 151 A
Power Dissipation 462 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60JDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet