Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

APT85GR120JD60
APT85GR120JD60
Артикул: APT85GR120JD60
Описание: APT85GR120JD60
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 250 nA
Continuous Collector Current 118 A
Power Dissipation 595 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.5 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 250 nA
Continuous Collector Current 118 A
Power Dissipation 595 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT85GR120JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet