Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G
APTGFQ25H120T2G
Артикул: APTGFQ25H120T2G
Описание: APTGFQ25H120T2G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 227 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGFQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 227 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGFQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet