История:
BUF08832AIPWPR
MSDF000R
APT50M38JFLL
APT6010JFLL
APTGL240TL120G
APTGL240TL120G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Continuous Collector Current
305 A
Power Dissipation
1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL240TL120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Continuous Collector Current
305 A
Power Dissipation
1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL240TL120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

