Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGL40H120T1G

APTGL40H120T1G

APTGL40H120T1G
APTGL40H120T1G
Артикул: APTGL40H120T1G
Описание: APTGL40H120T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 65 A
Power Dissipation 220 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL40H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 65 A
Power Dissipation 220 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL40H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet