Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGL475A120D3G

APTGL475A120D3G

APTGL475A120D3G
APTGL475A120D3G
Артикул: APTGL475A120D3G
Описание: APTGL475A120D3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 610 A
Power Dissipation 2.08 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 610 A
Power Dissipation 2.08 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet