История:
TM4C1231E6PMI
96MPXEB-1.8-35M20T
APTGL475U120DAG
APTGL475U120DAG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
610 A
Power Dissipation
2.307 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475U120DAG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
610 A
Power Dissipation
2.307 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475U120DAG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

