История:
BUF20800ATDCPRQ1
APT2X100DQ60J
APTGL700U120D4G
APTGL700U120D4G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
910 A
Power Dissipation
3 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL700U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
910 A
Power Dissipation
3 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL700U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

