Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ100H65T3G

APTGLQ100H65T3G

APTGLQ100H65T3G
APTGLQ100H65T3G
Артикул: APTGLQ100H65T3G
Описание: APTGLQ100H65T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 135 A
Power Dissipation 350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 135 A
Power Dissipation 350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ100H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet