История:
BUF20800ATDCPRQ1
APT2X100DQ60J
APTGLQ150A120TG
APTGLQ150A120TG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
240 nA
Continuous Collector Current
250 A
Power Dissipation
750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ150A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
240 nA
Continuous Collector Current
250 A
Power Dissipation
750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ150A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

