Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ200H120G

APTGLQ200H120G

APTGLQ200H120G
APTGLQ200H120G
Артикул: APTGLQ200H120G
Описание: APTGLQ200H120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 340 nA
Continuous Collector Current 350 A
Power Dissipation 1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ200H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 340 nA
Continuous Collector Current 350 A
Power Dissipation 1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ200H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet