Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ200HR120G

APTGLQ200HR120G

APTGLQ200HR120G
APTGLQ200HR120G
Артикул: APTGLQ200HR120G
Описание: APTGLQ200HR120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V; 1.5 V
Configuration Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 480 nA; 400 nA
Continuous Collector Current 300 A; 150 A
Power Dissipation 1 kW; 340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ200HR120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V; 1.5 V
Configuration Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 480 nA; 400 nA
Continuous Collector Current 300 A; 150 A
Power Dissipation 1 kW; 340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ200HR120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet