Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ25H120T2G

APTGLQ25H120T2G

APTGLQ25H120T2G
APTGLQ25H120T2G
Артикул: APTGLQ25H120T2G
Описание: APTGLQ25H120T2G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 165 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 165 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet