Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ300H65G

APTGLQ300H65G

APTGLQ300H65G
APTGLQ300H65G
Артикул: APTGLQ300H65G
Описание: APTGLQ300H65G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 385 A
Power Dissipation 1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ300H65G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 385 A
Power Dissipation 1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ300H65G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet