Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ30H65T3G

APTGLQ30H65T3G

APTGLQ30H65T3G
APTGLQ30H65T3G
Артикул: APTGLQ30H65T3G
Описание: APTGLQ30H65T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 95 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ30H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 95 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ30H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet