Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ40H120T1G

APTGLQ40H120T1G

APTGLQ40H120T1G
APTGLQ40H120T1G
Артикул: APTGLQ40H120T1G
Описание: APTGLQ40H120T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 120 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ40H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 120 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ40H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet