Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ40HR120CT3G

APTGLQ40HR120CT3G

APTGLQ40HR120CT3G
APTGLQ40HR120CT3G
Артикул: APTGLQ40HR120CT3G
Описание: APTGLQ40HR120CT3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V; 1.5 V
Configuration Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 120 nA; 600 nA
Continuous Collector Current 75 A; 80 A
Power Dissipation 250 W; 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ40HR120CT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V; 1.5 V
Configuration Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 120 nA; 600 nA
Continuous Collector Current 75 A; 80 A
Power Dissipation 250 W; 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ40HR120CT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet