Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ600A65T6G

APTGLQ600A65T6G

APTGLQ600A65T6G
APTGLQ600A65T6G
Артикул: APTGLQ600A65T6G
Описание: APTGLQ600A65T6G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 1 uA
Continuous Collector Current 770 A
Power Dissipation 2 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ600A65T6G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 1 uA
Continuous Collector Current 770 A
Power Dissipation 2 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ600A65T6G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet