Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ75H65T1G

APTGLQ75H65T1G

APTGLQ75H65T1G
APTGLQ75H65T1G
Артикул: APTGLQ75H65T1G
Описание: APTGLQ75H65T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ75H65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ75H65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet