Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGLQ80HR120CT3G

APTGLQ80HR120CT3G

APTGLQ80HR120CT3G
APTGLQ80HR120CT3G
Артикул: APTGLQ80HR120CT3G
Описание: APTGLQ80HR120CT3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V; 1.5 V
Configuration Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 240 nA; 600 nA
Continuous Collector Current 150 A; 100 A
Power Dissipation 500 W; 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ80HR120CT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V; 1.5 V
Configuration Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 240 nA; 600 nA
Continuous Collector Current 150 A; 100 A
Power Dissipation 500 W; 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ80HR120CT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet