Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT100A60T1G

APTGT100A60T1G

APTGT100A60T1G
APTGT100A60T1G
Артикул: APTGT100A60T1G
Описание: APTGT100A60T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100A60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100A60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet