Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT100DU170TG

APTGT100DU170TG

APTGT100DU170TG
APTGT100DU170TG
Артикул: APTGT100DU170TG
Описание: APTGT100DU170TG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 560 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DU170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 560 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DU170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet