Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT100H120G

APTGT100H120G

APTGT100H120G
APTGT100H120G
Артикул: APTGT100H120G
Описание: APTGT100H120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 140 A
Power Dissipation 480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 140 A
Power Dissipation 480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet