Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT100H60TG

APTGT100H60TG

APTGT100H60TG
APTGT100H60TG
Артикул: APTGT100H60TG
Описание: APTGT100H60TG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet