Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT150DH120G

APTGT150DH120G

APTGT150DH120G
APTGT150DH120G
Артикул: APTGT150DH120G
Описание: APTGT150DH120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 220 A
Power Dissipation 690 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 220 A
Power Dissipation 690 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet