Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT200A120G

APTGT200A120G

APTGT200A120G
APTGT200A120G
Артикул: APTGT200A120G
Описание: APTGT200A120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 280 A
Power Dissipation 890 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 280 A
Power Dissipation 890 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet