Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT200A170D3G

APTGT200A170D3G

APTGT200A170D3G
APTGT200A170D3G
Артикул: APTGT200A170D3G
Описание: APTGT200A170D3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 310 A
Power Dissipation 1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 310 A
Power Dissipation 1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200A170D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet