Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT200H60G

APTGT200H60G

APTGT200H60G
APTGT200H60G
Артикул: APTGT200H60G
Описание: APTGT200H60G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 290 A
Power Dissipation 625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 290 A
Power Dissipation 625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet