Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT225DU170G

APTGT225DU170G

APTGT225DU170G
APTGT225DU170G
Артикул: APTGT225DU170G
Описание: APTGT225DU170G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 340 A
Power Dissipation 1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225DU170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 340 A
Power Dissipation 1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225DU170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet