Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT25X120T3G

APTGT25X120T3G

APTGT25X120T3G
APTGT25X120T3G
Артикул: APTGT25X120T3G
Описание: APTGT25X120T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 156 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT25X120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 156 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT25X120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet