Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT300A120G

APTGT300A120G

APTGT300A120G
APTGT300A120G
Артикул: APTGT300A120G
Описание: APTGT300A120G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 420 A
Power Dissipation 1.38 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 420 A
Power Dissipation 1.38 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet