Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT300H60G

APTGT300H60G

APTGT300H60G
APTGT300H60G
Артикул: APTGT300H60G
Описание: APTGT300H60G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 430 A
Power Dissipation 1.15 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 430 A
Power Dissipation 1.15 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet