Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G
APTGT30H170T3G
Артикул: APTGT30H170T3G
Описание: APTGT30H170T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 210 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30H170T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 210 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30H170T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet