Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT30TL601G

APTGT30TL601G

APTGT30TL601G
APTGT30TL601G
Артикул: APTGT30TL601G
Описание: APTGT30TL601G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 90 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 90 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet