Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G
APTGT30X60T3G
Артикул: APTGT30X60T3G
Описание: APTGT30X60T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 90 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 50 A
Power Dissipation 90 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet