Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT50A120T1G

APTGT50A120T1G

APTGT50A120T1G
APTGT50A120T1G
Артикул: APTGT50A120T1G
Описание: APTGT50A120T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 277 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 277 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet