Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G
APTGT50H120T3G
Артикул: APTGT50H120T3G
Описание: APTGT50H120T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 270 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 270 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet