Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT50H170TG

APTGT50H170TG

APTGT50H170TG
APTGT50H170TG
Артикул: APTGT50H170TG
Описание: APTGT50H170TG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 312 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 312 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet