Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT50H60T3G

APTGT50H60T3G

APTGT50H60T3G
APTGT50H60T3G
Артикул:
Описание: APTGT50H60T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 80 A
Power Dissipation 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 80 A
Power Dissipation 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet