Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT50TDU170PG

APTGT50TDU170PG

APTGT50TDU170PG
APTGT50TDU170PG
Артикул: APTGT50TDU170PG
Описание: APTGT50TDU170PG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Triple Dual Common Source
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 310 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU170PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Triple Dual Common Source
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 70 A
Power Dissipation 310 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU170PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet