Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT600A60G

APTGT600A60G

APTGT600A60G
APTGT600A60G
Артикул: APTGT600A60G
Описание: APTGT600A60G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 800 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 2.3 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 800 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 2.3 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet