Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT600U120D4G

APTGT600U120D4G

APTGT600U120D4G
APTGT600U120D4G
Артикул: APTGT600U120D4G
Описание: APTGT600U120D4G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 2.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 2.5 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet