Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APTGT75H60T2G

APTGT75H60T2G

APTGT75H60T2G
APTGT75H60T2G
Артикул:
Описание: APTGT75H60T2G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet